新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

作者：张帅; 黄永清; 陶彦耘; 张欣; 宋海兰; 任晓敏; 王琦; 黄辉

来源：半导体光电, 2010, (04): 501-506.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2010.04.003

• 雪崩光探测器
• 频率响应
• 过剩噪声因子
• AlGaAs带隙梯度结构
• 苯并环丁烯 avalanche photodiode
• frequency response
• excess noise factor
• AlGaAs bandgap graded structure
• BCB

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法。通过将Al0.4Ga0.6As(28nm)-Al0.2Ga0.8As(10nm)-GaAs(50nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化。数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33GHz的3dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420GHz的增益带宽积。在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程。

• 单位
  信息光子学与光通信国家重点实验室