keV能量电子致Al,Ti,Zr,W,Au元素厚靶特征X射线产额与截面的研究

作者：李颖涵; 安竹^*; 朱敬军; 李玲

来源：Acta Physica Sinica, 2020, 69(13): 157-169.

• 特征X射线产额,
• 内壳层电离截面,
• 特征X射线产生截面,
• 蒙特卡罗模拟

本文使用5—27 ke V能量范围的电子轰击纯厚Al (Z=13), Ti (Z=22), Zr (Z=40), W (Z=74)和Au (Z=79)靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集产生的X射线,给出了K, L壳层特征X射线产额的测量结果,并将所得实验数据与基于扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟值进行了比较,两者在小于或约为10%的范围内符合.根据测得的特征X射线产额进一步得到了相应的内壳层电离截面或特征X射线产生截面.通过对比电子入射角度为45°和90°的两种情况下解析模型与蒙特卡罗模拟的特征X射线产额,发现在入射角度为90°时两者符合较好.同时,本文还给出了次级电子、轫致辐射光子对特征X射线产额的贡献,该贡献与入射电子能量关系较弱,表现出与原子序数较密切的相关性.

• 单位
  辐射物理及技术教育部重点实验室; 四川大学