烧结温度对掺杂CZTSe靶材性能的影响

作者：沈文兴; 白平平^*; 童培云; 朱刘

来源：材料研究与应用, 2021, 15(03): 225-228.

• 靶材
• 掺杂
• 烧结温度

采用真空烧结技术制备了RbF∶CuZnSnSe(Rb-CZTSe)的陶瓷靶材,当RbF掺杂量为0.4%(质量分数)时,研究了不同烧结温度对CZTSe陶瓷靶材微观结构、致密度、电阻率及断面形貌的影响.结果表明,当烧结温度在660℃下所制备的陶瓷靶材表现出最优的各项性能,其电阻率188 kΩ·cm和相对密度为94.68%.表明此方法所制备的Rb-CZTSe陶瓷靶材能更好的应用于工业生产.

• 单位
  先导薄膜材料(广东)有限公司; 先导薄膜材料（广东）有限公司