自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

作者：刘召军; 孟志国; 赵淑云; 王文; 郭海成; 吴春亚; 熊绍珍

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2008, (10): 2009-2013.

• 金属诱导横向晶化
• 多晶硅薄膜
• 低温制备
• 退火处理 metal induced lateral crystallization
• poly-silicon thin film
• low temperature preparation
• annealing treatment

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.

• 单位
  南开大学; 香港科技大学