基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法

作者：陈翌庆; 叶传瑶; 王敏

来源：2020-08-07, 中国, CN202010786708.X.

本发明公开了一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法。通过电子束蒸发镀膜机在石墨烯/SiO_2/Si基底上蒸镀ZnS纳米颗粒膜和Au,再通过PVD在Au/ZnS纳米颗粒膜/石墨烯/SiO_2/Si上生长ZnS纳米线,从而制备出ZnS纳米线膜/ZnS纳米颗粒膜/石墨烯/SiO_2/Si的光探测器。由于ZnS纳米线是单晶结构,相对ZnS纳米颗粒的多晶结构来说,ZnS纳米线的导电性更加优异,因此ZnS纳米线制备的光探测器在吸光后产生的电子-空穴对更有利于转移到石墨烯上,有效提高开关比、响应度等光电性能。

• 单位
  合肥工业大学