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摘要
研究了系列Ce∶Fe掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率光谱范围 ,二波耦合增益相对较低 ;高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄 ,光折变二波耦合增益较低。晶体的后处理对铌酸锂样品的光折变特性影响明显 ,双掺Ce∶Fe还原态铌酸锂晶体具有较高的二波耦合增益 ;氧化态样品具有较大的透过率光谱范围 ;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。实验结果还表明在同种样品中难于同时获得大的二波耦合增益和图像存储质量
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