不同浓度硼掺杂金刚石薄膜的场发射性能的研究

作者：石晓林

来源：科技通报, 2013, (08): 16-18.

DOI：10.13774/j.cnki.kjtb.2013.08.015

• CVD
• 金刚石
• 硼掺杂
• 场发射 CVD
• diamond
• boron doping
• field emission

利用微波等离子体化学气相淀积法(MPCVD),在硅基片上合成硼掺杂金刚石薄膜。研究B2O3从1000~5000 ppm不同浓度对场发射性能影响。随硼浓度地增加,纳米金刚石(NCD)薄膜的场发射性能得到改善。且场发射性能的增强归功于更好的电导率和金刚石薄膜的纳米特性。

• 单位
  吉林工商学院