H~+和Ar~(11+)激发Si的K壳层X射线发射研究

作者：周贤明; 赵永涛; 程锐; 王兴; 雷瑜; 孙渊博; 王瑜玉; 徐戈; 任洁茹; 张小安; 梁昌慧; 李耀宗; 梅策香; 肖国青

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (08): 85-90.

• X射线
• 高电荷态重离子
• 多电离 X-ray
• highly charged heavy ion
• multiple-ionization

测量了50—250keV H+和1.0—3.0MeV Ar11+轰击Si表面过程中辐射的X射线.结果表明,在Ar11+入射的情况下,引起了Si的L壳层上3,4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面,并将两体碰撞近似(BEA),平面波恩近似,ECPSSR理论计算与实验值进行了对比.ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合;而考虑多电离后,BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.

• 单位
  中国科学院近代物理研究所; 电子工程学院; 咸阳师范学院