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摘要
一种制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜的气体脉冲序列,由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成,在一个生长周期中,各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12,有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量,有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量,在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后,都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处,都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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