一种反应磁控溅射系统中的紫外辅助沉积装置及沉积方法

作者：邱万奇; 徐聪; 焦东玲; 钟喜春; 刘仲武

来源：2022-04-13, 中国, CN202210385023.3.

本发明公开了一种反应磁控溅射系统中的紫外辅助沉积装置及沉积方法。所述装置包括包括底板、隔热支架、紫外灯源和反光罩,隔热支架固定在底板上,紫外灯源固定在反光罩内,反光罩转动设置在隔热支架上,且反光罩能沿着隔热支架上下移动以调节紫外灯源与底板之间的距离,其中,紫外灯源朝向样品台设置,用于向样品台发射185-254nm的紫外光线。紫外灯源可随反光罩的转动而调整辐射角,确保辐照深紫外光能投射到样品的生长面。在传统反应溅射沉积薄膜系统中增加紫外光线对沉积生长面的辐照,促进生长面上的活性分子或分子团簇的表面迁移,从而降低沉积温度。用该装置辅助反应溅射沉积Al-Cr-O薄膜,可在550～650℃的低温沉积出Al含量达35.6wt％～41.9wt％的单相刚玉结构α-(Al,Cr)-2O-3薄膜。

• 单位
  华南理工大学