单晶金刚石具有超宽的禁带宽度、低的介电常数、高的击穿电压、高的热导率、高的本征电子和空穴迁移率，以及优越的抗辐射性能，是目前已知的最有前景的宽禁带高温半导体材料，被誉为“终极半导体”。但单晶金刚石在半导体上的大规模应用还有很多技术难题急需解决。本文聚焦大尺寸(英寸级)单晶金刚石衬底的化学气相沉积合成、剥离切片及研磨抛光技术，通过对近年来的相关文献进行整理，综述了相关方面的国内外研究现状。在此基础上，对未来单晶金刚石半导体材料的制备、剥离和研磨抛光进行了展望。
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