衬底温度对MoOx空穴传输层的影响研究

作者：谷书辉; 李宁; 黄志平; 韦德远; 任丙彦; 刘彩池^*

来源：太阳能学报, 2020, 41(07): 136-141.

DOI：10.19912/j.0254-0096.2020.07.021

• 磁控溅射
• 空穴传输层
• 太阳电池
• MoOx

采用射频磁控溅射技术在不同衬底温度下制备MoOx薄膜,测量结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜平整度变好,薄膜的导电性能得到提高;薄膜平均光学透过率也随衬底温度的升高而增大,在360～1200 nm波段的平均光学透过率在82%～89%之间,其中在780～1200 nm波段的光学透过率接近90%;薄膜的光学帯隙会随衬底温度的升高而变窄,介于3.31～3.15 eV之间,在25℃下制备的MoOx薄膜带隙最宽为3.31 eV。将所制备的MoOx膜作为空穴传输层应用在Ag/ITO/MoOx/n c-Si/Ag结构的太阳电池,常温下制备MoOx薄膜对应的电池性能相对最佳,得到的太阳电池的转换效率为6.05%。

• 单位
  河北工业大学; 材料学院