高压下G2ZT晶体结构、电子结构和光学性质的第一性原理研究

作者：李佐; 刘云; 廖大麟; 成丽红

来源：高压物理学报, 2022, 36(04): 15-25.

• G2ZT晶体
• 高压
• 电子结构
• 光学性质

基于密度泛函理论的第一性原理研究了高压下富氮含能材料(双3, 4, 5-三氨基-1,2, 4-三唑)-5, 5′-偶氮四唑(G2ZT)的几何结构、电子结构和光学性质。结果表明，在考虑范德瓦尔斯色散修正和密度泛函色散修正的情况下,分子晶体结构数据与实验结果的相对误差均在3%以内。Hirshfeld表面分析结果表明，随着压强增大，分子间氢键的相互作用减弱。G2ZT晶体在零压下的能带带隙为2.03 eV，是一种p型半导体。随着压强增大，带隙变窄，吸收系数可达到3.0×106 cm-1。研究结果为进一步分析高压下G2ZT晶体的特征提供了理论参考。

• 单位
  贵州工程应用技术学院