一种采用铜牺牲层去除负性光刻胶残胶的工艺方法

作者：丁飞; 杨志峰; 张帅; 邹赫麟^*

来源：机电工程技术, 2021, 50(07): 101-104.

• 残胶
• 铜薄膜
• 牺牲层
• 湿法腐蚀
• 金属侧蚀

提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减小到0.2个/mm2。分别测试了金、铬和铜薄膜湿法腐蚀的侧蚀,实验表明铜最适合作牺牲层材料。测试了不同厚度铜薄膜的侧蚀速率,实验表明在腐蚀初期,厚度越薄侧蚀速率越快,但侧蚀的不均匀性越严重,当铜薄膜厚度为200 nm时,去除残胶效果最好。

• 单位
  大连理工大学