基于GaNFET的车载逆变器设计

作者:刘天俊; 潘健; 张雄宇; 王鹏; 李坤
来源:湖北工业大学学报, 2018, 33(04): 48-51.

摘要

逆变器采用PWM控制推挽电路实现12VDC至310VDC的升压,带死区控制的SPWM技术控制全桥逆变电路实现220V正弦交流逆变,逆变功率器件使用GaNFET TPH3002PD。实验样机以STM32F103RBT6单片机作为核心控制单元,经测试得到了稳定的220V正弦交流电,验证了设计的可行性。