超高真空系统中的残余气体对Ga0.75Al0.25N阴极表面光电性质影响的研究

作者：朱宇轩; 杨明珠^*; 何思译

来源：光电子技术, 2021, 41(01): 17-55.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.01.003

• Ga0.75Al0.25N(0001)表面
• 密度泛函理论
• 残余气体
• 功函数
• 吸收系数

根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附模型。利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附。结果表明,残余气体提高了表面功函数。功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的,残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩,不利于光电子的逸出。在紫外波段,残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数。

• 单位
  南京信息工程大学