一种带埋层的新型结终端技术

作者：周嵘; 张玉蒙; 李泽宏; 熊景枝; 张金平

来源：电子元件与材料, 2016, (09): 37-40.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.008

• 电场
• 击穿电压
• 终端技术
• 场限环
• P–埋层
• 终端宽度 electric field
• breakdown voltage
• termination technology
• field limited rings
• P– buried layer
• termination width

在高压功率器件领域,常规的场限环技术由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端的效率很低。为了改善这一缺点,提出了一种带P–埋层的新型高压终端技术,有效降低了主结边缘处的电场集中,提高了击穿电压。仿真结果表明,该结构的击穿电压达到3 439 V,终端的长度为1 000μm,较常规的场限环结构1 500μm(英飞凌公司3 300 V产品)节省了近30%的终端面积。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学