2～18 GHz超宽带GaN功放开关的设计

作者：吴建刚; 张忠山; 崔亮

来源：现代信息科技, 2021, 5(04): 63-66.

DOI：10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.04.016

• GaN
• 超宽带
• 功放开关

对GaN行波放大器功放开关进行研究,发现传统功放开关对功放和开关芯片分别进行设计,这样的设计会导致功放开关不能实现最佳的性能。因此采用GaN PHEMT工艺,研制了一款在2～18 GHz频率范围内具有良好性能的超宽带功放开关。为了满足输出功率和增益等指标,功放路采用分布式放大器结构,并将功放与开关进行一体化设计,最终得到性能良好的功放开关。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所