分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状

作者：高达; 王经纬; 王丛; 李震; 吴亮亮; 刘铭

来源：红外, 2019, 40(08): 15-18.

• 硅基碲镉汞
• 分子束外延
• 材料性能

目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。

• 单位
  华北光电技术研究所