用于5G移动终端N77频段的低噪声放大器设计

作者：陈亮^*; 高洁; 李亚军; 屠德成

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(06): 498-504.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.06.013

• 低噪声放大器
• 绝缘体上硅
• 5G
• 移动通信

设计了一款用于5G移动通信N77频段（3.3～4.2 GHz）的低噪声放大器。该低噪声放大器采用65 nm绝缘体上硅（Silicon on insulator,SOI）工艺实现。电路结构中采用放大通路切换、反馈切换等多种模式相结合的方式实现了6档增益可调，相比于仅使用放大器串联衰减器的方式，可以实现功耗、增益、线性度等性能的最优组合。低噪声放大器工作电压为1.2 V，芯片尺寸为0.84 mm×0.84 mm，增益范围覆盖-11～20 dB，芯片的工作状态采用移动产业处理器接口控制，在最高增益档时噪声系数在0.90～1.05 dB之间，单通道工作时功耗最大为15.6 mW。