超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展

作者：张弘; 范志东; 田书凤; 彭英才

来源：河北大学学报(自然科学版), 2005, (06): 673-679.

• SiOxNy栅介质
• 热退火N化
• 等离子体氮化
• 化学气相沉积
• 氮注入

在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.

• 单位
  电子信息工程学院; 河北大学