通过采用密度泛函理论第一性原理计算,主要研究不同浓度下V掺杂TiO2的结构、能带、电导率、反射和吸收率的变化。建立本征TiO2和VxTi1-xO2(x=0.062 5,0.125,0.187 5)的掺杂模型,掺杂体系具有较高的电导率且具有N型半导体特征。通过BP神经网络对模型的能带结果进行训练,训练的模型数据结果发现掺杂后具有较高的电导率,禁带宽度明显降低。综合以上结果,在x=0.187 5时实现最佳电导率和光学性能。