Co/Co3O4/PZT多铁复合薄膜的交换偏置效应及其磁电耦合特性

作者：李永超; 周航; 潘丹峰; 张浩; 万建国

来源：Acta Physica Sinica, 2015, 64(09): 115-121.

• 多铁复合薄膜
• 交换偏置
• 磁电耦合效应
• 磁电容

本文采用溶胶-凝胶工艺并结合脉冲激光沉积技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Co/Co3O4/PZT多铁复合薄膜.对复合薄膜的微结构和组分进行了表征,并系统研究了复合薄膜中的交换偏置效应及其对磁电耦合作用的影响.研究结果表明,复合薄膜在77 K具有明显的交换偏置效应,交换偏置场达到80 Oe,且交换偏置场及矫顽场均随温度降低而增大.当温度降低到10 K时,交换偏置场增至160 Oe.X射线光电子能谱(XPS)测试结果证实在Co和Co3O4界面处存在约5 nm厚的CoO层,表明77 K下的交换偏置效应源自反铁磁的CoO层对Co的钉扎作用.观察到复合薄膜的电容-温度曲线随着外加磁场大小和方向的改变而呈现出规律性的变化,表明复合薄膜存在磁电耦合效应.进一步研究发现,在低温下复合薄膜呈现出各向异性的磁电容效应,与磁场大小和方向密切相关.复合薄膜的这种磁电耦合特性主要与复合体系的交换偏置效应及基于界面应力传递的磁电耦合作用有关,本文对其中的物理机理进行了详细讨论与分析.

• 单位
  南京大学; 固体微结构物理国家重点实验室