基于石墨烯插入层结构的GaN基肖特基势垒二极管SBD器件及制备方法

作者：宁静; 张弛; 王东; 张进成; 沈雪; 陈智斌; 马佩军; 郝跃

来源：2018-09-12, 中国, CN201811059355.2.

本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基肖特基势垒二极管SBD器件。主要解决现有技术GaN外延层质量不高的问题。其自下而上包括蓝宝石衬底层(1)、磁控溅射氮化铝层(2)、石墨烯层(3)和重掺杂N型GaN层(4)；重掺杂N型GaN层(4)的上方设有轻掺杂N型GaN层(5),两侧为欧姆电极(7)；轻掺杂N型GaN层(5)的上方设有肖特基金属阻挡层(8)；轻掺杂N型GaN层(5)与欧姆电极(7)之间及轻掺杂N型GaN层的上方分布有SiO2钝化层(6)。本发明通过增设磁控溅射氮化铝层和石墨烯层,提高了GaN外延层的质量,从而提高了SBD的电学特性,可用于制作GaN基半导体器件。

• 单位
  西安电子科技大学