一种具有Ga₂O₃/Al₂O₃保护层的HEMT器件及其制备方法

作者：王洪; 高升; 刘晓艺

来源：2020-03-21, 中国, CN202010204555.3.

本发明公开了一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件及其制备方法。该器件包括AlGaN/GaN外延,AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极,源漏电极采用电子束蒸发与磁控溅射相结合的方法,在源漏电极进行高温退火前将整个晶圆进行N2O plasma处理,形成Ga2O3/Al2O3保护层后,进行高温退火过程,在源漏电极靠近源极侧设置栅电极。Ga2O3/Al2O3保护层有效抑制了高温退火过程中对(Al)GaN表面引入的界面态,且N2O plasma处理过程对源漏电极的退火效果并无恶化效果。该具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件的界面态密度低,具有优异的高频与动态特性。

• 单位
  华南理工大学; 中山市华南理工大学现代产业技术研究院