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摘要
本发明公开了基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管,主要解决现有Cascode氮化镓高电子迁移率晶体管不能大面积单片集成的问题。其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3),该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4),用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(5)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)上面,形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明可以实现晶圆级制造,增强了器件的可靠性,提高了芯片集成度,可用于电源转换器、反相器进行电源控制与转换的场景。
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