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摘要
在过去的几十年里,ABO3型锰氧化物因为优异的磁电性、电运输及电极化的特性已在高密度的存储设备以及具有高智能性的电子设备等领域被普遍的研究和运用。然而,锰氧化物的磁阻效应的增加带来诸如居里温度降低的问题,使得这些材料很难被实际利用。本文总结了近几十年稀土掺杂在ABO3型锰氧化物材料的研究工作,回顾了稀土掺杂ABO3型锰氧化物的制备方法以及其在半导体、磁存储、多铁材料等方面的研究进展,并就稀土掺杂锰氧化物研究中存在的问题和发展进行了思考和展望。
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单位西安工业大学; 材料与化工学院
