DC-30 GHz GaAs pHEMT分布式功率放大器设计

作者：刘雁鹏; 魏启迪; 章国豪

来源：电子技术应用, 2018, 44(10): 48-55.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.180349

• 分布式放大器
• GaAs
• pHEMT

采用0.25μm GaAs pHEMT工艺研制了一款分布式功率放大器,详细介绍了电路设计和优化过程。通过增加低频交流终端,使得该放大器低频段的增益平坦度有明显的改善。仿真结果表明该放大器带宽约为30 GHz,小信号增益约为8.5 dB,1 dB压缩点输出功率约为21 dBm,功率附加效率最高能达到20%以上。

• 单位
  广东工业大学