低压大电流VDMOS器件栅电荷测量

作者：蒋苓利; 罗萍; 蒲奎; 赵璐

来源：实验科学与技术, 2006, 4(z1): 49-51,60.

DOI：10.3969/j.issn.1672-4550.2006.z1.017

• 栅电荷
• 栅电容
• VDMOS器件
• 测试电路

为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性,对器件栅电荷特性进行了测量和提取.通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数.分析了栅电荷测试电路基本原理,提出一种可行的测试电路,PSPICE仿真和实际电路测试证明了该电路的正确性.

• 单位
  电子科技大学