本发明公开了一种辐射环境下双极型晶体管反向电流增益退化模型的构建方法,该方法包括：a)根据双极型晶体管反向工作特性,获得发射极电流I-E；b)获得考虑界面复合下的基极电流I-B；c)辐射环境反向电流增益退化模型的建立；d)模型验证。本发明构建的模型纳入了双极型晶体管界面复合的对反向电流增益退化的影响,从而能精准地计算双极型晶体管反向电流增益的退化,进而得到精准的退化模型,所需拟合参数少,适用性广泛,该模型对于辐射环境下双极型晶体管可靠性提供了更准确的预测。
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