摘要

研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用。发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关,且随着热处理温度的升高而增大。进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制。X射线光电子能谱(XPS)的Mn2p和O1s谱图表明,表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的。因此,氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源。