Power MOSFET UIS性能改善的研究

作者：何荣华

来源：电子技术, 2020, 49(07): 4-7.

• 集成电路
• 半导体器件
• 性能改善
• Power MOSFET
• Unclamped Inductive Switching

分析UIS失效的发生机理,提出了改善UIS性能的三个方面,避免产生极端电场强度、避免缺陷产生电流聚集效应、合适的沟槽深度保证charge balance电荷平衡。并且能够紧扣实验,通过实验结果来详细论证这三个观点。提出在半导体工艺制程和集成电路器件设计过程中改善UIS能力与一致性的方法。