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摘要
本发明公开了一种氟注入结合P型栅增强型器件及其制备方法。所述器件包括外延层、有源区、源电极、漏电极、氟注入区和P型栅电极以及栅电极；外延层包括从下至上顺次层叠的衬底、成核层、缓冲层、插入层和势垒层；对外延层的两侧进行深度超过势垒层的厚度的刻蚀,形成凸台结构,凸出部分为有源区；有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的有源区中的势垒层中注入氟离子,形成氟注入区；氟注入区上方设置P型栅电极,P型栅电极上方设置栅电极。本发明通过结合氟注入法以及P型栅电极法,对工艺进行优化,使器件阈值电压产生较大的正向偏移,实现增强型器件的制备。
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