闩锁效应是CMOS集成电路所固有的寄生效应,效应严重时会导致集成电路烧毁。目前,国内集成电路闩锁效应检测均是在常温条件下进行,无法在实际环境和恶劣条件下对器件进行考核。本文研究并首次提出集成电路高温闩锁效应检测方法,用于考核集成电路的真实闩锁防护能力水平,指导军用集成电路产品闩锁效应检验。研究结果表明,高温条件对复杂逻辑电路的闩锁效应产生明显的恶化,而对简单功能器件的闩锁效应未产生明显影响。
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