Nd:GGG晶体的体缺陷研究

作者:孙晶; 李昌立; 曾繁明; 万玉春; 李建立; 刘景和
来源:硅酸盐通报, 2010, (03): 538-541.
DOI:10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2010.03.002

摘要

本文从宏观和微观上研究了Nd:GGG晶体的体缺陷,发现Nd:GGG晶体的体缺陷主要包括开裂、沉积物、空洞和包裹物等。扫面电镜及能谱分析结果表明,空洞中的物质分别为[Gd(Nd)]4Ga2O9、[Gd(Nd)]3GaO6和[Gd(Nd)]GaO3。包裹物的主要是组分是Ga2O3,是由于晶体生长过程中原料挥发通过固-液界面进入晶体而形成的。

全文