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摘要
采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤，影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。首先建立一种损伤评判机制，判断现有工艺刻蚀后材料是否发生反型。然后通过优化光刻胶厚度、变功率分步刻蚀的方式，实现低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀，同时有效解决单次刻蚀深台面时易堆积生成物以及侧壁过于陡峭等工艺问题。台面中心间距为20μm,刻蚀深度超过8μm,缝隙深宽比可达2。基于此台面制备的器件具有明显的双阻抗特征。其中，长波阻抗峰值为100 MΩ,并且I-V曲线中长波侧的平坦区超过100 mV。从电学角度初步判断该器件具有双色探测的能力，验证了本文工艺的可行性。
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单位华北光电技术研究所
