一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法

作者：李国强; 张志杰; 刘兴江; 高鹏; 余粤锋; 林静

来源：2019-12-23, 中国, CN201911338960.8.

本发明公开了一种含有CuS疏水层的GaAs太阳电池及其制备方法。其结构由下至上依次为的Au底电极、GaAs衬底、CuS疏水层、石墨烯层和银浆顶电极。本发明还公开了以上含有CuS疏水层的GaAs太阳电池的制备方法。一方CuS具有较好的疏水性,可以防止GaAs与水的接触,减少石墨烯在转移过程中引入的缺陷数量,提高载流子的寿命。另一方面,CuS具有较高的空穴迁移能力,同时对电子的运输起到一定的阻挡作用,这样有利于将光生的空穴和电子分开,减少光生电流的损失,提高电池的开路电压。本发明的GaAs太阳电池,不仅制备工艺简单,器件缺陷密度低,电池制备成本较低,而且光电转换效率高。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十八研究所; 华南理工大学