动力学研究AlN/α-Al_2O_3(0001)薄膜生长初期的吸附与扩散

作者：杨春; 冯玉芳; 余毅

来源：Acta Physica Sinica, 2009, (05): 3553-3559.

• α-Al2O3(0001)表面
• 扩散
• 吸附生长
• 从头计算分子动力学 α-Al_2O_3(0001)surface
• diffusion
• adsorption
• Ab initio molecular-dynamics

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,计算了300—800℃下AlN吸附过程与系统能量、动力学轨迹以及扩散系数.研究表明,吸附过程由物理吸附、化学吸附和表面稳定态三个阶段组成,在吸附成键过程中,温度越高,粒子平均表面扩散能力增强.N原子的扩散系数大于Al原子的扩散系数,尤其是在物理吸附阶段.在较高温度条件下(大于700℃),N的解吸附作用明显增强,不利于AlN的稳定吸附生长,500—700℃之间的温度有利于AlN在α-Al2O3(0001)表面的稳定吸附生长.

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学; 四川师范大学