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摘要
采用高温固相法制备了新型红色荧光粉KGd4-4xEu4x[Mo3O15]F(x=0.1～1.0),研究了其物相组成、形貌、光致发光光谱、发光衰减特性和应用性能。结果表明，该荧光粉具有立方结构、空间群为Pn-3n(222)。荧光粉在近紫外(395 nm)和蓝光(465 nm)区间都具有非常高的激发效率，与商用InGaN半导体芯片的发射波长匹配。且在近紫外光的激发下呈现出位于613 nm的明亮红色发光，对应于Eu3+离子的电偶极跃迁5D0→7F2。发光的量子效率结果表明其最佳发光效率是67.3%(x=0.5)。由于结构中MoO6多面体中F-离子的存在，使得KGd4-4xEu4x[Mo3O15]F(x=0.1～1.0)和Eu3+激活的钼酸盐氧化物相比具有优越的发光效率和热稳定性。基于其良好发光性能，该荧光粉是一种性能优异的白光LED用红光荧光粉。
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