NO在Ir(111)表面吸附与解离的第一性原理研究

作者：付玲; 张帅; 吕林霞; 何朝政; 宋海珍; 黄金书; 李根全

来源：原子与分子物理学报, 2018, 35(03): 395-400.

• 第一性原理
• NO解离
• N2生成
• Ir(111)表面

本文系统研究了NO在Ir(111)表面的吸附,解离,以及可能的N2生成机理.结果表明,顶位吸附的NO,其解离能垒较高(3.17 eV),不会发生解离,而三重Hcp和Fcc空位吸附的NO发生解离,能垒分别为1.23和1.28 eV.N2是唯一的生成物,不会有副产物N2O的产生.其最可能的反应路径为N和NO经过N2O中间体而生成N2,而不是直接N提取和N-N聚合产生N2的机理.

• 单位
  电子工程学院; 机电工程学院; 南阳师范学院