温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析

作者：张景波; 张云琦; 王思文; 孙晓冰; 邢春香; 刘强; 殷景志

来源：半导体光电, 2020, 41(01): 80-84.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.017

• InAsSb
• 俄歇复合寿命
• As组分
• 温度
• 载流子浓度

工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域,锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测器的理想材料。俄歇复合寿命是影响探测器性能的重要因素之一,文章采用Matlab软件模拟研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇复合寿命随温度、As组分及载流子浓度的变化。对确定的As组分,可通过优化工作温度及载流子浓度获得较长的俄歇复合寿命。当载流子浓度为3.2×1015 cm-3、温度为200K时,n型InAs0.35Sb0.65的俄歇复合寿命最大为2.91×10-9 s。

• 单位
  吉林大学; 集成光电子学国家重点实验室; 长春理工大学光电信息学院