氮气中退火制备(Bi,Dy)_4Ti_3O_(12)铁电薄膜

作者：成传品; 唐明华; 叶志; 周益春

来源：湘潭大学自然科学学报, 2007, (04): 31-34.

DOI：10.13715/j.cnki.nsjxu.2007.04.015

• CSD
• 铁电薄膜
• 退火
• 铁电性 CSD
• ferroelectric thin films
• annealing
• ferroelectricity

采用化学溶液沉积法(CSD)将Bi3.4Dy0.6Ti3O12(BDT)前驱体溶液沉积在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(111)基底上,然后在氮气环境中分别于600℃、650℃、700℃和750℃四个温度下退火,成功地制作出BDT铁电薄膜.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分别对其表面形貌、结构及其成份进行了表征;用铁电分析仪测试了其铁电性能.随着退火温度的升高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,但其剩余极化不是随着退火温度的升高而单调增加.氮气中650℃退火的BDT铁电薄膜结晶良好,并且具有最大的剩余极化值(2Pr=7.8μC/cm2;Ec=95.7 kV/cm).另外,就温度对BDT...

• 单位
  湘潭大学