该文介绍用光致发光(PL谱)、中红外光谱、紫外可见光谱三种光学方法结合表征氮化镓、氮化铝材料中的点缺陷,该光学方法表征材料中点缺陷具有无损、快速、直观的特点。通过研究氮化镓材料PL光谱中黄带峰的发光机理,确定碳杂质在氮化镓中形成的CN缺陷是引发黄带发光峰的起源;通过研究氮化铝的红外和紫外可见吸收光谱,确定氮化铝中VN氮空位缺陷是265nm(4.7eV)深紫外吸收带起源的固有缺陷。用光学方法表征半导体材料中的点缺陷,研究材料晶体完整性的影响机理,拓宽了该测试方法的应用领域。