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摘要
本发明公开了一种侧壁刻蚀修复的Mos-Type沟槽型功率器件,包括：由下至上依次设置的阴极、衬底和漂移层；漂移层上开设有多个凹槽,凹槽的内壁上以及靠近凹槽的顶部侧边缘处的上方覆盖有介质层；介质层和漂移层上覆盖有阳极；介质层用于在器件工作在正向模式下或施加预正向电压应力时产生非线性极化电场以及形成MOS区域。本发明还公开了一种侧壁刻蚀修复的Mos-Type沟槽型功率器件的制备方法,本发明的介质层的非线性极化电场可以有效缓解沟槽侧壁刻蚀损伤引起缺陷导致的电子俘获效应,从而达到有效优化界面质量、提高器件正向导通电流密度的目的。同时,本发明制备工艺简单,大幅度降低了工艺的复杂度和难度,进一步减少了制备工艺对器件性能的影响。
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