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摘要
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提，但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤（COMD）是制约激光器最大输出功率和可靠性的主要瓶颈。为了提高915nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器COD阈值，采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备外延生长初次样片（生长到量子阱上450nm），探讨量子阱混杂对外延生长初次样片发光的影响。使用室温光致发光（PL）谱测量波峰蓝移量和发光强度，实验结果表明，在890℃，10min条件下蓝移量达到62.5nm。对外延生长初次样片进行量子阱混杂，得到了较高的波峰蓝移量，且发光峰强度在800～890℃范围内，10min条件下均保持在原样品的75%以上，为提高915nm波段半导体激光器COD阈值提供了有效的方法指导。
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