摘要
In2O3作为一种良好的光电和气敏材料,因高温下具有优异的热电性能在热电领域也获得广泛关注。本研究通过固相反应法结合放电等离子烧结(SPS)成功将原位自生的InNbO4第二相引入到In2O3基体中,优化了块体样品的制备工艺。同时,InNbO4改善了样品的电输运性能,使载流子浓度明显提高,在1023 K时电导率最高可达1548 S·cm-1,高于大多数元素掺杂的样品。其中,0.998In2O3/0.002InNbO4样品的热电性能测试表明,在1023 K时,其功率因子可达到0.67 mW·m-1·K-2,热电优值(ZT)达到最高值0.187。综上所述,通过在In2O3中原位复合InNbO4第二相可以很好地改善In2O3基热电陶瓷的电性能,进而调控其高温热电性能。
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