TFT-LCD白点不良机理研究及改善

作者：刘信^*; 高玉杰; 郭坤; 杨志; 程石; 林鸿涛; 毛大龙; 盛子沫; 赵剑; 吴伟; 郭会斌; 江鹏

来源：液晶与显示, 2021, 36(03): 405-411.

• 白点
• 反冲电压
• Staebler-Wronski效应

TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能,但其带来的产品品质困扰着各工厂,白点不良即为四道掩膜版工艺产生。本文通过直流实验探究了白点产生的原因;采用光照实验和高温实验,研究了白点产生的机理,同时利用工艺调整来改善白点不良。结果表明,有源层膜质存在异常,其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异,最佳公共电压的不同形成白点不良。栅极和源极耦合电容越小,即硅边宽度越小,白点越少,直至消失。子像素存储电容越大,钝化层厚度(PVX)由600nm减小到400nm,白点不良程度可减轻1个等级。通过工艺调整,将硅边宽度降低到1.2μm,可解决四道掩膜版工艺导致的白点问题。该研究对于产品品质和收益的提升以及后续产品开发提供了有效的解决方法及参考。

• 单位
  北京京东方显示技术有限公司