本发明公开了掺杂半导体的激活率确定方法、系统及存储介质,方法包括：确定待测掺杂半导体的吸收光谱；根据吸收光谱能隙与载流子浓度的关系式,通过待测掺杂半导体的吸收光谱计算载流子浓度；确定待测掺杂半导体的掺杂原子浓度；根据载流子浓度和掺杂原子浓度确定激活率。本发明无需利用霍尔效应或者C-V方法测量载流子浓度,降低了测量误差,提高了精确度；另外,本发明可不采用SIMS或ICP方法就能获取掺杂原子浓度,降低了测量成本且操作简单,可广泛应用于半导体检测技术领域。
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