摘要
为提高Mo Si2的低温抗氧化能力,采用直接预氧化法制备了核壳结构Mo Si2@SiO2粉体,研究了适宜的预氧化条件及Mo Si2@SiO2的结构和低温抗氧化性能。结果表明:经过800℃预氧化处理1 h可以得到原位包覆核壳结构MoSi2@SiO2粉体,Si O2壳层的形成是基于Mo Si2的非选择性氧化以及氧化产物Mo O3的挥发,生成的Si O2壳层为无定形态。Mo Si2@SiO2在400~700℃等温循环氧化12 h的氧化质量增加率小于1.6%。
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单位天津大学; 沧州师范学院