C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响

作者：金鑫; 李伟; 蒋亚东; 廖乃镘; 陈宇翔; 陈德鹅

来源：半导体光电, 2009, (05): 715-718+723.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2009.05.020

• PECVD
• 氢化非晶硅薄膜
• P-C复合掺杂
• 微结构
• 暗电导率 PECVD
• a-Si∶H thin film
• P-C compo-doping
• microstructure
• dark conductivity

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院; 电子科技大学